Исследования кинетики неравновесных носителей в полупроводнике при периодическом оптическом возбуждении
Е. В. Никишин1, Е. Е. Пескова2
| Аннотация | В статье проведены теоретические исследования среднего значения неравновесной концентрации свободных носителей в полупроводнике при периодическом оптическом возбуждении. Расчеты сделаны для кремния, легированного золотом. Среднее значение концентрации свободных носителей зависит от частоты и формы импульсов возбуждения. |
|---|---|
| Ключевые слова | механизмы рекомбинации, кинетика фотопроводимости, Si, Au, рекомбинационные центры, периодическое возбуждение |
1Доцент кафедры экспериментальной физики, Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарева, г. Саранск; nikishin57@mail.ru
2Ассистент кафедры прикладной математики, дифференциальных уравнений и теоретической механики, Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарева, г. Саранск; Lizanika@mail.ru.
Цитирование: Никишин Е. В., Пескова Е. Е. Исследования кинетики неравновесных носителей в полупроводнике при периодическом оптическом возбуждении // Журнал Средневолжского математического общества. 2014. Т. 16, № 2. С. 85–89.
