Кинетика фотопроводимости при межзонном возбуждении с учетом поверхностной рекомбинации
С. М. Мурюмин1, А. Е. Никишина2, Е. В. Никишин3
| Аннотация | Проведено теоретическое исследование кинетики фотопроводимости резистора с глубокими примесными центрами. Использовались параметры характерные для полупроводников A2B6 и A3B5. Изучено влияние электрического поля и диффузии электронов и дырок к поверхностям на фоточувствительность резистора. |
|---|---|
| Ключевые слова | кинетика фотопроводимости, рекомбинационные центры, времена жизни электронов и дырок, A2B6 и A3B5, поверхностная рекомбинация. |
1Доцент кафедры прикладной математики, Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарева, г. Саранск
2Аспирант кафедры прикладной математики, Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарева, г. Саранск; annikishina@yandex.ru
3Доцент кафедры экспериментальной физики, Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарева, г. Саранск; nikishin57@mail.ru
Цитирование: Мурюмин С. М., Никишина А. Е., Никишин Е. В. Кинетика фотопроводимости при межзонном возбуждении с учетом поверхностной рекомбинации // Журнал Средневолжского математического общества. 2013. Т. 15, № 1. С. 112–120.
