Численное моделирование вероятности включения микроплазмы c участием глубоких центров в $p$--$n$--переходе
В. К. Ионычев1, Р. Р. Кадеркаев2, С. М. Мурюмин3, П. А. Шаманаев4
| Аннотация | Моделируется влияние глубоких центров на статистическую задержку пробоя микроплазмы в $p$--$n$--переходе. Проведен численный расчет вероятности включения микроплазмы в фосфидгаллиевых $p$--$n$--переходах в случае эмиссии носителей заряда через простой двухзарядный генерационно-рекомбинационный центр и с многозарядной ловушки. Показано, что изменение зарядового состояния глубоких центров частичным снижением обратного напряжения на $p$--$n$--переходе может приводить к особенностям распределения статистической задержки пробоя микроплазмы по длительности. |
|---|---|
| Ключевые слова | статистическая задержка пробоя, глубокие центры, включение микроплазмы, эмиссия носителей заряда, зарядовое состояние центра |
1Доцент кафедры электроники и наноэлектроники, Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарева, г. Саранск; microelektro@mail.ru.
2Аспирант кафедры технического сервиса машин, Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарева, г. Саранск.
3Доцент кафедры прикладной математики, дифференциальных уравнений и теоретической механики, Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарева, г. Саранск; journal@svmo.ru.
4Доцент кафедры прикладной математики, дифференциальных уравнений и теоретической механики, Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарева, г. Саранск; korspa@yandex.ru.
Цитирование: Ионычев В. К., Кадеркаев Р. Р., Мурюмин С. М., Шаманаев П. А. Численное моделирование вероятности включения микроплазмы c участием глубоких центров в $p$--$n$--переходе // Журнал Средневолжского математического общества. 2015. Т. 17, № 4. С. 78–86.
