Математическое моделирование распределения экранирующего тока и гистерезис намагниченности коротких цилиндров жестких сверхпроводников 2-го рода в приближении Бина
Н. Д. Кузьмичев1, А. А. Федченко2
| Аннотация | В работе найдена простая аналитическая зависимость распределения экранирующего сверхпроводящего тока в рамках модели Бина с учетом искривления линий магнитного поля, жестких сверхпроводников второго рода имеющих форму цилиндров конечной длины и дисков (таблеток) находящихся в критическом состоянии. На основе найденного распределения рассчитаны полная напряженность магнитного поля и петля гистерезиса намагниченности образцов вышеуказанной формы в разных случаях. |
|---|---|
| Ключевые слова | жесткий сверхпроводник второго рода, высокотемпературный сверхпроводник, критическое состояние, критическая плотность тока, намагниченность, интегральное уравнение первого рода, карта распределения экранирующего сверхтока |
1Заведующий кафедрой общенаучных дисциплин, Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарева, г. Саранск; kuzmichevnd@yandex.ru.
2Аспирант, Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарева, г. Саранск; starlightalex@gmail.com.
Цитирование: Кузьмичев Н. Д., Федченко А. А. Математическое моделирование распределения экранирующего тока и гистерезис намагниченности коротких цилиндров жестких сверхпроводников 2-го рода в приближении Бина // Журнал Средневолжского математического общества. 2011. Т. 13, № 4. С. 25–34.
